Vishay Siliconix - SI2325DS-T1-E3

KEY Part #: K6419226

SI2325DS-T1-E3 Kainodara (USD) [196638vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.18810
  • 3,000 pcs$0.17663

Dalies numeris:
SI2325DS-T1-E3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - RF, Diodai - lygintuvai - viengubi, Tiristoriai - SCR, Diodai - lygintuvai - masyvai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Diodai - Zener - masyvai and Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SI2325DS-T1-E3 electronic components. SI2325DS-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2325DS-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2325DS-T1-E3 Produkto atributai

Dalies numeris : SI2325DS-T1-E3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3
Serija : TrenchFET®
Dalies būsena : Active
FET tipas : P-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 150V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 530mA (Ta)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 6V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 1.2 Ohm @ 500mA, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 12nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 510pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 750mW (Ta)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : SOT-23-3 (TO-236)
Pakuotė / Byla : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3