Infineon Technologies - IRLR3717TRRPBF

KEY Part #: K6420182

IRLR3717TRRPBF Kainodara (USD) [167648vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.22403
  • 3,000 pcs$0.22292

Dalies numeris:
IRLR3717TRRPBF
Gamintojas:
Infineon Technologies
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - JFET, Tiristoriai - SCR, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF and Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Infineon Technologies IRLR3717TRRPBF electronic components. IRLR3717TRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR3717TRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLR3717TRRPBF Produkto atributai

Dalies numeris : IRLR3717TRRPBF
Gamintojas : Infineon Technologies
apibūdinimas : MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
Serija : HEXFET®
Dalies būsena : Not For New Designs
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 20V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 120A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 4 mOhm @ 15A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 2.45V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 31nC @ 4.5V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 2830pF @ 10V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 89W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : D-Pak
Pakuotė / Byla : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Galbūt jus taip pat domina