Diodes Incorporated - DMN2025UFDF-13

KEY Part #: K6416444

DMN2025UFDF-13 Kainodara (USD) [795452vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.04650

Dalies numeris:
DMN2025UFDF-13
Gamintojas:
Diodes Incorporated
Išsamus aprašymas:
MOSFET BVDSS 8V-24V U-DFN2020-6.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Diodai - RF, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Diodes Incorporated DMN2025UFDF-13 electronic components. DMN2025UFDF-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2025UFDF-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2025UFDF-13 Produkto atributai

Dalies numeris : DMN2025UFDF-13
Gamintojas : Diodes Incorporated
apibūdinimas : MOSFET BVDSS 8V-24V U-DFN2020-6
Serija : -
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 20V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 6.5A (Ta)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 1.8V, 4.5V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 25 mOhm @ 4A, 4.5V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 12.3nC @ 10V
VG (maks.) : ±10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 486pF @ 10V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 700mW (Ta)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : U-DFN2020-6
Pakuotė / Byla : 6-UDFN Exposed Pad