1SS352,H3F Kainodara (USD) [3056256vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.01277
- 3,000 pcs$0.01271
- 6,000 pcs$0.01146
- 15,000 pcs$0.00997
- 30,000 pcs$0.00897
- 75,000 pcs$0.00797
- 150,000 pcs$0.00664
- Dalies numeris:
- 1SS352,H3F
- Gamintojas:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching High-Speed Diode
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - lygintuvai - viengubi, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF and Diodai - RF ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 1SS352,H3F electronic components. 1SS352,H3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1SS352,H3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1SS352,H3F Produkto atributai
Dalies numeris :
1SS352,H3F
Gamintojas :
Toshiba Semiconductor and Storage
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
80V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
100mA
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.2V @ 100mA
Greitis :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Atbulinės eigos laikas (trr) :
4ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
500nA @ 80V
Talpa @ Vr, F :
3pF @ 0V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
SC-76A
Tiekėjo įrenginio paketas :
SC-76-2
Darbinė temperatūra - sankryža :
125°C (Max)
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
1SS250(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High
-
SE20AFGHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFDHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFBHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFB-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION
-
SE20AFD-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in
Karštos dalys
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A