Vishay Semiconductor Diodes Division - SE20AFDHM3/6B

KEY Part #: K6458147

SE20AFDHM3/6B Kainodara (USD) [914813vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.04267
  • 14,000 pcs$0.04245

Dalies numeris:
SE20AFDHM3/6B
Gamintojas:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - TRIAC, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - specialios paskirties and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SE20AFDHM3/6B electronic components. SE20AFDHM3/6B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SE20AFDHM3/6B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SE20AFDHM3/6B Produkto atributai

Dalies numeris : SE20AFDHM3/6B
Gamintojas : Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC
Serija : Automotive, AEC-Q101
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 200V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 1.3A (DC)
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.1V @ 2A
Greitis : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 1.2µs
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 5µA @ 200V
Talpa @ Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : DO-221AC, SMA Flat Leads
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-221AC (SlimSMA)
Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 175°C

Galbūt jus taip pat domina
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE30AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 400V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 200V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFJ-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 600 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFGHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in