SS22L MHG Kainodara (USD) [1425630vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.02594
- Dalies numeris:
- SS22L MHG
- Gamintojas:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Išsamus aprašymas:
- DIODE SCHOTTKY 20V 2A SUB SMA.
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - specialios paskirties, Diodai - lygintuvai - viengubi, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tiristoriai - SCR - moduliai, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation SS22L MHG electronic components. SS22L MHG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SS22L MHG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SS22L MHG Produkto atributai
Dalies numeris :
SS22L MHG
Gamintojas :
Taiwan Semiconductor Corporation
apibūdinimas :
DIODE SCHOTTKY 20V 2A SUB SMA
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Schottky
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
20V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
2A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
500mV @ 2A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
-
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
400µA @ 20V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
DO-219AB
Tiekėjo įrenginio paketas :
Sub SMA
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 150°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
-
NSB8JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
-
NSB8KT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB. Rectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
-
NSB8MT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
-
NSB8JT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3
-
MBRB10H100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM
Karštos dalys
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18