Vishay Siliconix - SQM120N10-3M8_GE3

KEY Part #: K6417886

SQM120N10-3M8_GE3 Kainodara (USD) [44745vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.87385
  • 800 pcs$0.78645

Dalies numeris:
SQM120N10-3M8_GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 120A TO263.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tiristoriai - SCR - moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Diodai - Zener - masyvai, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - JFET, Galios tvarkyklės moduliai and Diodai - lygintuvai - viengubi ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SQM120N10-3M8_GE3 electronic components. SQM120N10-3M8_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQM120N10-3M8_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQM120N10-3M8_GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SQM120N10-3M8_GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Serija : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 100V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 120A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 3.8 mOhm @ 20A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 3.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 190nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 7230pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 375W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-263 (D²Pak)
Pakuotė / Byla : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Galbūt jus taip pat domina
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • IPA65R190E6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.