Vishay Siliconix - SIR622DP-T1-RE3

KEY Part #: K6397570

SIR622DP-T1-RE3 Kainodara (USD) [126722vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.29188

Dalies numeris:
SIR622DP-T1-RE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
N-CHANNEL 150-V D-S MOSFET.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - JFET, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš and Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SIR622DP-T1-RE3 electronic components. SIR622DP-T1-RE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR622DP-T1-RE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR622DP-T1-RE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SIR622DP-T1-RE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : N-CHANNEL 150-V D-S MOSFET
Serija : ThunderFET®
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 150V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 12.6A (Ta), 51.6A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 7.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 17.7 mOhm @ 20A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 41nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 1516pF @ 75V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : PowerPAK® SO-8
Pakuotė / Byla : PowerPAK® SO-8

Galbūt jus taip pat domina
  • FCD2250N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3.

  • FDD86250

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • TK25A60X5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.