Dalies numeris :
APTM100H45FT3G
Gamintojas :
Microsemi Corporation
apibūdinimas :
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3
FET tipas :
4 N-Channel (H-Bridge)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) :
1000V (1kV)
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C :
18A
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG :
540 mOhm @ 9A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID :
5V @ 2.5mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs :
154nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds :
4350pF @ 25V
Darbinė temperatūra :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas :
Chassis Mount
Tiekėjo įrenginio paketas :
SP3