Microsemi Corporation - APTM100H45FT3G

KEY Part #: K6522575

APTM100H45FT3G Kainodara (USD) [1046vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$44.64869
  • 100 pcs$44.42656

Dalies numeris:
APTM100H45FT3G
Gamintojas:
Microsemi Corporation
Išsamus aprašymas:
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Diodai - RF, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai and Tiristoriai - SCR - moduliai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Microsemi Corporation APTM100H45FT3G electronic components. APTM100H45FT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM100H45FT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100H45FT3G Produkto atributai

Dalies numeris : APTM100H45FT3G
Gamintojas : Microsemi Corporation
apibūdinimas : MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3
Serija : -
Dalies būsena : Active
FET tipas : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET funkcija : Standard
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 1000V (1kV)
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 18A
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 540 mOhm @ 9A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 5V @ 2.5mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 154nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 4350pF @ 25V
Galia - maks : 357W
Darbinė temperatūra : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Chassis Mount
Pakuotė / Byla : SP3
Tiekėjo įrenginio paketas : SP3