Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai
  5. EPC2104ENG

EPC - EPC2104ENG

KEY Part #: K6523723

[4071vnt. sandėlyje]

    Dalies numeris:
    EPC2104ENG
    Gamintojas:
    EPC
    Išsamus aprašymas:
    GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE.
    Manufacturer's standard lead time:
    Prekyboje
    Tinkamumo laikas:
    Vieneri metai
    Čipas nuo:
    Honkongas
    RoHS:
    Mokėjimo būdas:
    Siuntos būdas:
    Šeimos kategorijos:
    PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Diodai - RF, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - IGBT - moduliai and Tranzistoriai - IGBT - masyvai ...
    Konkurencinis pranašumas:
    We specialize in EPC EPC2104ENG electronic components. EPC2104ENG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2104ENG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EPC2104ENG Produkto atributai

    Dalies numeris : EPC2104ENG
    Gamintojas : EPC
    apibūdinimas : GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
    Serija : eGaN®
    Dalies būsena : Discontinued at Digi-Key
    FET tipas : 2 N-Channel (Half Bridge)
    FET funkcija : GaNFET (Gallium Nitride)
    Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 100V
    Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 23A
    „Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 6.3 mOhm @ 20A, 5V
    VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 2.5V @ 5.5mA
    Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 7nC @ 5V
    Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 800pF @ 50V
    Galia - maks : -
    Darbinė temperatūra : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Montavimo tipas : Surface Mount
    Pakuotė / Byla : Die
    Tiekėjo įrenginio paketas : Die
    Galbūt jus taip pat domina
    • PMGD175XN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP.

    • STC6NF30V

      STMicroelectronics

      MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP.

    • AO8822#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.

    • AO8814#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP.

    • AO8810#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.

    • AO8804_100

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V.

    Karštos dalys