RBR2MM40BTR Kainodara (USD) [821443vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.04868
- 3,000 pcs$0.04844
- Dalies numeris:
- RBR2MM40BTR
- Gamintojas:
- Rohm Semiconductor
- Išsamus aprašymas:
- DIODE SCHOTTKY 40V 2A PMDU. Schottky Diodes & Rectifiers Diode, Rectifier FRD 40V-VR 2A-IO Single
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai and Tranzistoriai - JFET ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Rohm Semiconductor RBR2MM40BTR electronic components. RBR2MM40BTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RBR2MM40BTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RBR2MM40BTR Produkto atributai
Dalies numeris :
RBR2MM40BTR
Gamintojas :
Rohm Semiconductor
apibūdinimas :
DIODE SCHOTTKY 40V 2A PMDU
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Schottky
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
40V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
2A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
560mV @ 2A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
-
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
80µA @ 40V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
SOD-123F
Tiekėjo įrenginio paketas :
PMDU
Darbinė temperatūra - sankryža :
150°C (Max)
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
BAS20-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 200V
-
MMBD6050
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
-
-
1SS196(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching Diode S-Mini High
-
-
Karštos dalys
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF