Taiwan Semiconductor Corporation - SS19L M2G

KEY Part #: K6437506

SS19L M2G Kainodara (USD) [1719142vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.02152

Dalies numeris:
SS19L M2G
Gamintojas:
Taiwan Semiconductor Corporation
Išsamus aprašymas:
DIODE SCHOTTKY 90V 1A SUB SMA.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - TRIAC, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tiristoriai - SCR - moduliai, Diodai - lygintuvai - viengubi, Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni and Diodai - lygintuvai - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation SS19L M2G electronic components. SS19L M2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SS19L M2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SS19L M2G Produkto atributai

Dalies numeris : SS19L M2G
Gamintojas : Taiwan Semiconductor Corporation
apibūdinimas : DIODE SCHOTTKY 90V 1A SUB SMA
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Schottky
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 90V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 1A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 800mV @ 1A
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : -
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 50µA @ 90V
Talpa @ Vr, F : -
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : DO-219AB
Tiekėjo įrenginio paketas : Sub SMA
Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 150°C

Galbūt jus taip pat domina
  • GL34G/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • NSB8KT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB. Rectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8MT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8JT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3

  • MBRB10H100-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM

  • NSB8AT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM