Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Diodai - lygintuvai - viengubi
  5. GC08MPS12-220

GeneSiC Semiconductor - GC08MPS12-220

KEY Part #: K6433137

GC08MPS12-220 Kainodara (USD) [9802vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$4.20428
Dalies numeris:
GC08MPS12-220
Gamintojas:
GeneSiC Semiconductor
Išsamus aprašymas:
SIC DIODE 1200V 8A TO-220-2.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - lygintuvai - viengubi, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tiristoriai - SCR and Galios tvarkyklės moduliai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-220 electronic components. GC08MPS12-220 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GC08MPS12-220, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GC08MPS12-220 Produkto atributai

Dalies numeris : GC08MPS12-220
Gamintojas : GeneSiC Semiconductor
apibūdinimas : SIC DIODE 1200V 8A TO-220-2
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Silicon Carbide Schottky
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 1200V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 43A (DC)
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.8V @ 8A
Greitis : No Recovery Time > 500mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 0ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 7µA @ 1200V
Talpa @ Vr, F : 545pF @ 1V, 1MHz
Montavimo tipas : Through Hole
Pakuotė / Byla : TO-220-2
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-220-2
Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 175°C
Galbūt jus taip pat domina
  • 1SS193-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 80V 100MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100mA, 80V

  • BAS16WT-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 150mA 75V

  • BAS19WT-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 100V

  • V2FM12HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    2A120VSMFTRENCH SKY RECT..

  • V3FL45HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    3A45VSMFTRENCH SKY RECT..

  • V3FM12HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    3A120VSMFTRENCH SKY RECT..

Karštos dalys