Infineon Technologies - IPP80N08S406AKSA1

KEY Part #: K6418393

IPP80N08S406AKSA1 Kainodara (USD) [61723vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.63349
  • 500 pcs$0.52830

Dalies numeris:
IPP80N08S406AKSA1
Gamintojas:
Infineon Technologies
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Diodai - RF, Tranzistoriai - JFET and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Infineon Technologies IPP80N08S406AKSA1 electronic components. IPP80N08S406AKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP80N08S406AKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP80N08S406AKSA1 Produkto atributai

Dalies numeris : IPP80N08S406AKSA1
Gamintojas : Infineon Technologies
apibūdinimas : MOSFET N-CH TO220-3
Serija : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 80V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 80A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 5.8 mOhm @ 80A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 90µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 70nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 4800pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 150W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas : Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas : PG-TO220-3-1
Pakuotė / Byla : TO-220-3

Galbūt jus taip pat domina
  • SPA07N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.