Vishay Siliconix - SIHP14N60E-GE3

KEY Part #: K6399435

SIHP14N60E-GE3 Kainodara (USD) [35968vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$1.08706
  • 10 pcs$0.98254
  • 100 pcs$0.78954
  • 500 pcs$0.61410
  • 1,000 pcs$0.50882

Dalies numeris:
SIHP14N60E-GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tiristoriai - TRIAC, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Diodai - Zener - masyvai and Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai) ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SIHP14N60E-GE3 electronic components. SIHP14N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHP14N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHP14N60E-GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SIHP14N60E-GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
Serija : E
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 600V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 13A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 309 mOhm @ 7A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 64nC @ 10V
VG (maks.) : ±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 1205pF @ 100V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 147W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-220AB
Pakuotė / Byla : TO-220-3

Galbūt jus taip pat domina
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • TN0110N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.

  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.