Dalies numeris :
IPB020N10N5ATMA1
Gamintojas :
Infineon Technologies
apibūdinimas :
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Technologija :
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) :
100V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C :
120A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) :
6V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG :
2 mOhm @ 100A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID :
3.8V @ 270µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs :
210nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds :
15600pF @ 50V
Galios išsklaidymas (maks.) :
375W (Tc)
Darbinė temperatūra :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas :
Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas :
D²PAK (TO-263AB)
Pakuotė / Byla :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB