PMEG2010EJ,115 Kainodara (USD) [772712vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.04787
- 3,000 pcs$0.04573
- 6,000 pcs$0.04296
- 15,000 pcs$0.04018
- 30,000 pcs$0.03686
- Dalies numeris:
- PMEG2010EJ,115
- Gamintojas:
- Nexperia USA Inc.
- Išsamus aprašymas:
- DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323F. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY 20V 1A
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas and Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PMEG2010EJ,115 electronic components. PMEG2010EJ,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMEG2010EJ,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMEG2010EJ,115 Produkto atributai
Dalies numeris :
PMEG2010EJ,115
Gamintojas :
Nexperia USA Inc.
apibūdinimas :
DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323F
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Schottky
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
20V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
1A (DC)
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
500mV @ 1A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
-
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
200µA @ 20V
Talpa @ Vr, F :
80pF @ 1V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
SC-90, SOD-323F
Tiekėjo įrenginio paketas :
SOD-323F
Darbinė temperatūra - sankryža :
150°C (Max)
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
-
VS-16EDH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AC. Rectifiers Single 16A 200V FRED Pt AEC-Q101
-
FESB8BTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 100 Volt 35ns 125 Amp IFSM
-
UGB8CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 150 Volt 20ns 150 Amp IFSM
-
UGB8DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 200 Volt 20ns 150 Amp IFSM
-
UGB8ATHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 50 Volt 20ns 150 Amp IFSM
Karštos dalys
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54