Vishay Siliconix - SIHH21N60E-T1-GE3

KEY Part #: K6417767

SIHH21N60E-T1-GE3 Kainodara (USD) [40976vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.95899
  • 3,000 pcs$0.95422

Dalies numeris:
SIHH21N60E-T1-GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 20A POWERPAK8X8.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Diodai - RF, Galios tvarkyklės moduliai, Diodai - Zener - masyvai and Tiristoriai - TRIAC ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SIHH21N60E-T1-GE3 electronic components. SIHH21N60E-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHH21N60E-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHH21N60E-T1-GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SIHH21N60E-T1-GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CH 600V 20A POWERPAK8X8
Serija : -
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 600V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 20A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 176 mOhm @ 11A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 83nC @ 10V
VG (maks.) : ±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 2015pF @ 100V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 104W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : PowerPAK® 8 x 8
Pakuotė / Byla : 8-PowerTDFN

Galbūt jus taip pat domina
  • FDD13AN06A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • SPA11N65C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11A TO-220.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • IRLMS2002TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP.

  • IRLMS1902TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP.