[24460vnt. sandėlyje]
- Dalies numeris:
- K4Z80325BC-HC12
- Gamintojas:
- Samsung Semiconductor
- Išsamus aprašymas:
- 8 Gb 256M x 32 12.0 Gbps 16K / 32 ms 180FBGA Mass Production.
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: DDR4, HBM Aquabolt, SLC Nand, LPDDR4, LPDDR4X, GDDR6, HBM Flarebolt and LPDDR5 ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Samsung Semiconductor K4Z80325BC-HC12 electronic components. K4Z80325BC-HC12 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4Z80325BC-HC12, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
K4Z80325BC-HC12 Produkto atributai
Dalies numeris :
K4Z80325BC-HC12
Gamintojas :
Samsung Semiconductor
apibūdinimas :
8 Gb 256M x 32 12.0 Gbps 16K / 32 ms 180FBGA Mass Production
Serija :
DDR3
tankis :
8 Gb
Org. :
256M x 32
greitis :
12.0 Gbps
atnaujinti :
16K / 32 ms
paketas :
180FBGA
Prekės statusas :
Mass Production
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
M378A1K43BB1-CPB
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.
-
M378A1K43BB2-CRC
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.
-
M378A1K43BB2-CTD
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.
-
M378A1K43CB2-CPB
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.
-
M378A1K43CB2-CRC
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.
-
M378A1K43CB2-CTD
Samsung Semiconductor
DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.