Vaizdas | PAGRINDINĖ dalis # Gamintojas | Aprašymas / PDF | Kiekis / RFQ |
---|---|---|---|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 128M x 8 1600 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
16579vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 128M x 8 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
17745vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 128M x 8 2133 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
24938vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 128M x 8 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production. |
18031vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 128M x 8 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production. |
14414vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 128M x 8 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
17047vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 128M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
14807vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 128M x 8 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
21953vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 64M x 16 1600 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
25065vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 64M x 16 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
19161vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 64M x 16 2133 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
19667vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 64M x 16 1866 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
26803vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 64M x 16 1866 Mbps 1.35 V -40 ~ 105 °C 96FBGA Mass Production. |
21607vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 64M x 16 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
26686vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 64M x 16 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
15187vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 64M x 16 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
21190vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 64M x 16 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
20093vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 64M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
22839vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 256M x 8 1600 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
26738vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 256M x 8 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
24877vnt. sandėlyje |