ON Semiconductor - FDP050AN06A0

KEY Part #: K6401323

FDP050AN06A0 Kainodara (USD) [37862vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$1.03271
  • 10 pcs$0.93278
  • 100 pcs$0.74970
  • 500 pcs$0.58311
  • 1,000 pcs$0.48315

Dalies numeris:
FDP050AN06A0
Gamintojas:
ON Semiconductor
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tiristoriai - DIAC, SIDAC and Tiristoriai - SCR ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in ON Semiconductor FDP050AN06A0 electronic components. FDP050AN06A0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDP050AN06A0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDP050AN06A0 Produkto atributai

Dalies numeris : FDP050AN06A0
Gamintojas : ON Semiconductor
apibūdinimas : MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
Serija : PowerTrench®
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 60V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 18A (Ta), 80A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 6V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 5 mOhm @ 80A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 80nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 3900pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 245W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas : Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-220-3
Pakuotė / Byla : TO-220-3

Galbūt jus taip pat domina
  • LND150N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • DN2530N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3.

  • IRFIBC30GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP.

  • TPC8048-H(TE12L,Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP.

  • SI4628DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC.

  • IRF720SPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK.