ON Semiconductor - FDD4N60NZ

KEY Part #: K6392696

FDD4N60NZ Kainodara (USD) [231873vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.16631
  • 2,500 pcs$0.16549

Dalies numeris:
FDD4N60NZ
Gamintojas:
ON Semiconductor
Išsamus aprašymas:
MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Diodai - lygintuvai - viengubi, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - JFET, Tiristoriai - SCR - moduliai and Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in ON Semiconductor FDD4N60NZ electronic components. FDD4N60NZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD4N60NZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD4N60NZ Produkto atributai

Dalies numeris : FDD4N60NZ
Gamintojas : ON Semiconductor
apibūdinimas : MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
Serija : UniFET-II™
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 600V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 3.4A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 2.5 Ohm @ 1.7A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 10.8nC @ 10V
VG (maks.) : ±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 510pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 114W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : DPAK
Pakuotė / Byla : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Galbūt jus taip pat domina