Vishay Semiconductor Diodes Division - MSE1PJ-M3/89A

KEY Part #: K6457898

MSE1PJ-M3/89A Kainodara (USD) [1344083vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.02752
  • 4,500 pcs$0.02627
  • 9,000 pcs$0.02284
  • 13,500 pcs$0.01942
  • 31,500 pcs$0.01827
  • 112,500 pcs$0.01523

Dalies numeris:
MSE1PJ-M3/89A
Gamintojas:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP. Rectifiers 1.0 Amp 600 Volt 20 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - specialios paskirties, Diodai - Zener - masyvai, Tiristoriai - TRIAC and Tiristoriai - SCR ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division MSE1PJ-M3/89A electronic components. MSE1PJ-M3/89A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MSE1PJ-M3/89A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MSE1PJ-M3/89A Produkto atributai

Dalies numeris : MSE1PJ-M3/89A
Gamintojas : Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
Serija : eSMP®
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 600V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 1A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.1V @ 1A
Greitis : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 780ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 1µA @ 600V
Talpa @ Vr, F : 5pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : MicroSMP
Tiekėjo įrenginio paketas : MicroSMP (DO-219AD)
Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 175°C

Galbūt jus taip pat domina
  • EGL34A-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 0.5 Amp 50 Volt 50ns

  • RGL34B-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34J-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-200-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt