AS4PJ-M3/86A Kainodara (USD) [317666vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.12287
- 1,500 pcs$0.12226
- 3,000 pcs$0.11080
- 7,500 pcs$0.10315
- 10,500 pcs$0.10188
- Dalies numeris:
- AS4PJ-M3/86A
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- DIODE AVALANCHE 600V 2.4A TO277A. Rectifiers 4A 600V
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - specialios paskirties, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF and Tiristoriai - SCR - moduliai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division AS4PJ-M3/86A electronic components. AS4PJ-M3/86A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4PJ-M3/86A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
AS4PJ-M3/86A Produkto atributai
Dalies numeris :
AS4PJ-M3/86A
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE AVALANCHE 600V 2.4A TO277A
Serija :
eSMP®
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Avalanche
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
600V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
2.4A (DC)
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
962mV @ 2A
Greitis :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
1.8µs
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
10µA @ 600V
Talpa @ Vr, F :
60pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
TO-277, 3-PowerDFN
Tiekėjo įrenginio paketas :
TO-277A (SMPC)
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 175°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
BAS20-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 200V
-
MMBD6050
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
-
-
1SS196(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching Diode S-Mini High
-
CDBFN160-HF
Comchip Technology
DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY 1A 60V
-
Karštos dalys
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF