Vishay Siliconix - SI7636DP-T1-E3

KEY Part #: K6419516

SI7636DP-T1-E3 Kainodara (USD) [115856vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.31925
  • 3,000 pcs$0.26982

Dalies numeris:
SI7636DP-T1-E3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - specialios paskirties, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai) and Tiristoriai - TRIAC ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SI7636DP-T1-E3 electronic components. SI7636DP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7636DP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7636DP-T1-E3 Produkto atributai

Dalies numeris : SI7636DP-T1-E3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
Serija : TrenchFET®
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 30V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 17A (Ta)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 4 mOhm @ 25A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 50nC @ 4.5V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 5600pF @ 15V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 1.9W (Ta)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : PowerPAK® SO-8
Pakuotė / Byla : PowerPAK® SO-8

Galbūt jus taip pat domina