NSR01F30MXT5G Kainodara (USD) [1670025vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.02337
- 10,000 pcs$0.02326
- Dalies numeris:
- NSR01F30MXT5G
- Gamintojas:
- ON Semiconductor
- Išsamus aprašymas:
- DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 2DFN. Schottky Diodes & Rectifiers LOW VF SCHOTTKY DIODE IN
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tiristoriai - SCR - moduliai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - JFET, Diodai - RF, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in ON Semiconductor NSR01F30MXT5G electronic components. NSR01F30MXT5G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSR01F30MXT5G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSR01F30MXT5G Produkto atributai
Dalies numeris :
NSR01F30MXT5G
Gamintojas :
ON Semiconductor
apibūdinimas :
DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 2DFN
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Schottky
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
30V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
100mA (DC)
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
600mV @ 100mA
Greitis :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Atbulinės eigos laikas (trr) :
-
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
50µA @ 30V
Talpa @ Vr, F :
0.9pF @ 10V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
2-XDFN
Tiekėjo įrenginio paketas :
2-X3DFN (0.62x0.32)
Darbinė temperatūra - sankryža :
125°C (Max)
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
1N4150W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
-
SE20FGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
ES07B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM
-
BYM10-200-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM10-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
EGL34G-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns
Karštos dalys
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18