ON Semiconductor - FDG316P

KEY Part #: K6418332

FDG316P Kainodara (USD) [529955vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.07014
  • 3,000 pcs$0.06979

Dalies numeris:
FDG316P
Gamintojas:
ON Semiconductor
Išsamus aprašymas:
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - tiltiniai lygintuvai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tiristoriai - SCR and Diodai - lygintuvai - viengubi ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in ON Semiconductor FDG316P electronic components. FDG316P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDG316P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDG316P Produkto atributai

Dalies numeris : FDG316P
Gamintojas : ON Semiconductor
apibūdinimas : MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6
Serija : PowerTrench®
Dalies būsena : Active
FET tipas : P-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 30V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 1.6A (Ta)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 190 mOhm @ 1.6A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 5nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 165pF @ 15V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 750mW (Ta)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : SC-88 (SC-70-6)
Pakuotė / Byla : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Galbūt jus taip pat domina
  • TK5A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS.

  • SPA07N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK40E10K3,S1X(S

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB.