Vishay Semiconductor Diodes Division - S2JHE3_A/H

KEY Part #: K6455747

S2JHE3_A/H Kainodara (USD) [555616vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.06657
  • 4,500 pcs$0.04385

Dalies numeris:
S2JHE3_A/H
Gamintojas:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA. Rectifiers 1.5A, 600V, SMB GPP, STD, SM RECT
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - IGBT - moduliai and Tranzistoriai - specialios paskirties ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S2JHE3_A/H electronic components. S2JHE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S2JHE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S2JHE3_A/H Produkto atributai

Dalies numeris : S2JHE3_A/H
Gamintojas : Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 600V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 1.5A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.15V @ 1.5A
Greitis : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 2µs
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 1µA @ 600V
Talpa @ Vr, F : 16pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : DO-214AA, SMB
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-214AA (SMB)
Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 150°C

Galbūt jus taip pat domina
  • BAS16-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300mA 100V

  • BAT54E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS16E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A

  • DB3X317K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A MINI3.

  • CMDSH-4E TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers Enh Spec Schottky 40Vrrm 200mA 250mW

  • CMDD6001 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA