Diodes Incorporated - DMN10H120SFG-7

KEY Part #: K6402038

DMN10H120SFG-7 Kainodara (USD) [320618vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.11536

Dalies numeris:
DMN10H120SFG-7
Gamintojas:
Diodes Incorporated
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Diodai - RF, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Diodai - lygintuvai - viengubi, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks and Diodai - „Zener“ - vienviečiai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Diodes Incorporated DMN10H120SFG-7 electronic components. DMN10H120SFG-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN10H120SFG-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN10H120SFG-7 Produkto atributai

Dalies numeris : DMN10H120SFG-7
Gamintojas : Diodes Incorporated
apibūdinimas : MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI
Serija : -
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 100V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 3.8A (Ta)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 6V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 110 mOhm @ 3.3A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 10.6nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 549pF @ 50V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 1W (Ta)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : PowerDI3333-8
Pakuotė / Byla : 8-PowerVDFN

Galbūt jus taip pat domina
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.