BYM07-50HE3_A/H Kainodara (USD) [782736vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.04725
- Dalies numeris:
- BYM07-50HE3_A/H
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 0.5A,50V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - SCR - moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks and Diodai - lygintuvai - viengubi ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM07-50HE3_A/H electronic components. BYM07-50HE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM07-50HE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYM07-50HE3_A/H Produkto atributai
Dalies numeris :
BYM07-50HE3_A/H
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA
Serija :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
50V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
500mA
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.25V @ 500mA
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
50ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
5µA @ 50V
Talpa @ Vr, F :
7pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
DO-213AA (Glass)
Tiekėjo įrenginio paketas :
DO-213AA (GL34)
Darbinė temperatūra - sankryža :
-65°C ~ 175°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
RGL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34D-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34J-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-200-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt
-
BYM07-100-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt
Karštos dalys
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF