NRVBM120ET1G Kainodara (USD) [401844vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.09713
- 3,000 pcs$0.09664
- Dalies numeris:
- NRVBM120ET1G
- Gamintojas:
- ON Semiconductor
- Išsamus aprašymas:
- DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE. Schottky Diodes & Rectifiers REC 1A 20V PWRMITE SCHTKY
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Diodai - Zener - masyvai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in ON Semiconductor NRVBM120ET1G electronic components. NRVBM120ET1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NRVBM120ET1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NRVBM120ET1G Produkto atributai
Dalies numeris :
NRVBM120ET1G
Gamintojas :
ON Semiconductor
apibūdinimas :
DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE
Serija :
POWERMITE®
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Schottky
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
20V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
1A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
595mV @ 2A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
-
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
500nA @ 5V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
DO-216AA
Tiekėjo įrenginio paketas :
Powermite
Darbinė temperatūra - sankryža :
-65°C ~ 150°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
BAS20-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 200V
-
MMBD6050
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
-
-
1SS196(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching Diode S-Mini High
-
-
Karštos dalys
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF