Dalies numeris :
1N6073US
Gamintojas :
Microsemi Corporation
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 50V 3A D5A
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
50V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
3A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
2.04V @ 9.4A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
30ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
1µA @ 50V
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
SQ-MELF, A
Tiekėjo įrenginio paketas :
D-5A
Darbinė temperatūra - sankryža :
-65°C ~ 155°C