GeneSiC Semiconductor - 1N1190A

KEY Part #: K6440866

Šeimos kategorijos:: PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF and Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai ...

Konkurencinis pranašumas:: We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N1190A electronic components. 1N1190A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N1190A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Dalies numeris : 1N1190A

Gamintojas : GeneSiC Semiconductor

apibūdinimas : DIODE GEN PURP 600V 40A DO5

Serija : -

Dalies būsena : Active

Diodo tipas : Standard

Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 600V

Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 40A

Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.1V @ 40A

Greitis : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Atbulinės eigos laikas (trr) : -

Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 10µA @ 50V

Talpa @ Vr, F : -

Montavimo tipas : Chassis, Stud Mount

Pakuotė / Byla : DO-203AB, DO-5, Stud

Tiekėjo įrenginio paketas : DO-5

Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 190°C

Galbūt jus taip pat domina

RURD420S9A_T

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 4A TO252.
VS-20ETF10PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220FP.
UHB10FT-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB.
BAT43 A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35.
FR207TA

SMC Diode Solutions

DIODE GEN PURP 1KV 2A DO15.
MBRB4030G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 40A D2PAK. Schottky Diodes & Rectifiers 40A 30V

Karštos dalys