Vishay Siliconix - IRFBE30SPBF

KEY Part #: K6399163

IRFBE30SPBF Kainodara (USD) [26417vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$1.55126
  • 10 pcs$1.38644
  • 100 pcs$1.07857
  • 500 pcs$0.87339
  • 1,000 pcs$0.73659

Dalies numeris:
IRFBE30SPBF
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - JFET and Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix IRFBE30SPBF electronic components. IRFBE30SPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFBE30SPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFBE30SPBF Produkto atributai

Dalies numeris : IRFBE30SPBF
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Serija : -
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 800V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 4.1A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 3 Ohm @ 2.5A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 78nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 1300pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 125W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : D2PAK
Pakuotė / Byla : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Galbūt jus taip pat domina
  • ZVN4306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

  • TN0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3.

  • VN2410L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • VN1206L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3.

  • VN10KN3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3.

  • IRLIZ44NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 30A TO220FP.