VS-10ETF02-M3 Kainodara (USD) [47402vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.87043
- 1,000 pcs$0.86610
- Dalies numeris:
- VS-10ETF02-M3
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AC. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - TO-220-e3
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Diodai - Zener - masyvai, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tiristoriai - SCR and Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-10ETF02-M3 electronic components. VS-10ETF02-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-10ETF02-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-10ETF02-M3 Produkto atributai
Dalies numeris :
VS-10ETF02-M3
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AC
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
200V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
10A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.2V @ 10A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
200ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
100µA @ 200V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Through Hole
Pakuotė / Byla :
TO-220-2
Tiekėjo įrenginio paketas :
TO-220AC
Darbinė temperatūra - sankryža :
-40°C ~ 150°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
VS-HFA04SD60STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A D-PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-HFA08SD60STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-8EWS16STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWF04STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWS10STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK. Rectifiers Input Diodes - D-PAK
-
VS-8EWF02STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
Karštos dalys
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54