Vishay Semiconductor Diodes Division - BYM36E-TAP

KEY Part #: K6454522

BYM36E-TAP Kainodara (USD) [247410vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.15025
  • 12,500 pcs$0.14950

Dalies numeris:
BYM36E-TAP
Gamintojas:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Išsamus aprašymas:
DIODE AVALANCHE 1KV 2.9A SOD64. Rectifiers 1000 Volt 2.9 Amp 65 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - Zener - masyvai, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tiristoriai - DIAC, SIDAC and Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM36E-TAP electronic components. BYM36E-TAP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM36E-TAP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYM36E-TAP Produkto atributai

Dalies numeris : BYM36E-TAP
Gamintojas : Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas : DIODE AVALANCHE 1KV 2.9A SOD64
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Avalanche
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 1000V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 2.9A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.78V @ 3A
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 150ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 5µA @ 1000V
Talpa @ Vr, F : -
Montavimo tipas : Through Hole
Pakuotė / Byla : SOD-64, Axial
Tiekėjo įrenginio paketas : SOD-64
Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 175°C

Galbūt jus taip pat domina
  • SBRD10200TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 200V 10A DPAK.

  • SE20FGHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT

  • ES07B-GS18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM

  • BYM11-400-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated

  • BYM10-200-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM10-400-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated