Vishay Siliconix - SI7530DP-T1-E3

KEY Part #: K6524388

[3848vnt. sandėlyje]


    Dalies numeris:
    SI7530DP-T1-E3
    Gamintojas:
    Vishay Siliconix
    Išsamus aprašymas:
    MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8.
    Manufacturer's standard lead time:
    Prekyboje
    Tinkamumo laikas:
    Vieneri metai
    Čipas nuo:
    Honkongas
    RoHS:
    Mokėjimo būdas:
    Siuntos būdas:
    Šeimos kategorijos:
    PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tiristoriai - TRIAC, Diodai - RF, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Diodai - tiltiniai lygintuvai and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš ...
    Konkurencinis pranašumas:
    We specialize in Vishay Siliconix SI7530DP-T1-E3 electronic components. SI7530DP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7530DP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7530DP-T1-E3 Produkto atributai

    Dalies numeris : SI7530DP-T1-E3
    Gamintojas : Vishay Siliconix
    apibūdinimas : MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
    Serija : TrenchFET®
    Dalies būsena : Obsolete
    FET tipas : N and P-Channel
    FET funkcija : Logic Level Gate
    Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 60V
    Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 3A, 3.2A
    „Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 75 mOhm @ 4.6A, 10V
    VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 3V @ 250µA
    Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 20nC @ 10V
    Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : -
    Galia - maks : 1.4W, 1.5W
    Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montavimo tipas : Surface Mount
    Pakuotė / Byla : PowerPAK® SO-8 Dual
    Tiekėjo įrenginio paketas : PowerPAK® SO-8 Dual