HS1JL MTG Kainodara (USD) [1670025vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.02215
- Dalies numeris:
- HS1JL MTG
- Gamintojas:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA.
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Diodai - „Zener“ - vienviečiai and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation HS1JL MTG electronic components. HS1JL MTG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HS1JL MTG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HS1JL MTG Produkto atributai
Dalies numeris :
HS1JL MTG
Gamintojas :
Taiwan Semiconductor Corporation
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
600V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
1A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.7V @ 1A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
75ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
5µA @ 600V
Talpa @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
DO-219AB
Tiekėjo įrenginio paketas :
Sub SMA
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 150°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
-
MBRB1045-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 10 Amp 45 Volt
-
-
MBRB1660-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 16 Amp 60 Volt
-
NSB8DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
-
Karštos dalys
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54