| Vaizdas | PAGRINDINĖ dalis # Gamintojas | Aprašymas / PDF | Kiekis / RFQ |
|---|---|---|---|
 |
Samsung Semiconductor |
2 Gb 256M x 8 2133 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
16996vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 256M x 8 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production. |
22539vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 256M x 8 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production. |
21400vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 256M x 8 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
25337vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 256M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
22178vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 256M x 8 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
20824vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 128M x 16 1600 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
23528vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 128M x 16 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
14868vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 128M x 16 2133 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
15955vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 128M x 16 1866 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
21119vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 128M x 16 1866 Mbps 1.35 V -40 ~ 105 °C 96FBGA Mass Production. |
17431vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 128M x 16 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
22867vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 128M x 16 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
21752vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 128M x 16 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
26091vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 128M x 16 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
24906vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 128M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
19090vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1333 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
19788vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
14489vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
25276vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 2133 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
16363vnt. sandėlyje |
Klasifikavimo puslapiai
success