| Vaizdas | PAGRINDINĖ dalis # Gamintojas | Aprašymas / PDF | Kiekis / RFQ |
|---|---|---|---|
 |
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 1866 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
24999vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 1866 Mbps 1.35 V -40 ~ 105 °C 96FBGA Mass Production. |
21860vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
20248vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
21593vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 1333 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
20056vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
21447vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
19892vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
21068vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
18472vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
15107vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
19193vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
23462vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
19442vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
25880vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
17661vnt. sandėlyje |
Klasifikavimo puslapiai
success