| Vaizdas | PAGRINDINĖ dalis # Gamintojas | Aprašymas / PDF | Kiekis / RFQ |
|---|---|---|---|
 |
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production. |
18176vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production. |
14615vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1333 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
17624vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
17080vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
18490vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
27150vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
26869vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
25726vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production. |
20829vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production. |
26040vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
14296vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
18678vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
23312vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
20224vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production. |
17141vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V -40 ~ 105 °C 78FBGA Mass Production. |
24090vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 1333 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
15623vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 1600 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
18022vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
16063vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 2133 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
25323vnt. sandėlyje |
Klasifikavimo puslapiai
success