| Vaizdas | PAGRINDINĖ dalis # Gamintojas | Aprašymas / PDF | Kiekis / RFQ |
|---|---|---|---|
 |
Samsung Semiconductor |
8 Gb 1G x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production. |
21766vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production. |
19189vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 1G x 8 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
16597vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 1G x 8 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
24489vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
19231vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 1G x 8 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
21766vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production. |
23945vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 1G x 8 3200 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production. |
14142vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 512M x 16 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
24170vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 512M x 16 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
25018vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
25398vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 512M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
24756vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 512M x 16 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
20416vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
26874vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 512M x 16 3200 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
19714vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 512M x 16 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
17010vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 512M x 16 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
24976vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
20430vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 512M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
26293vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
16752vnt. sandėlyje |
Klasifikavimo puslapiai
success