| Vaizdas | PAGRINDINĖ dalis # Gamintojas | Aprašymas / PDF | Kiekis / RFQ |
|---|---|---|---|
 |
Samsung Semiconductor |
8 Gb 512M x 16 3200 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
17075vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
16 Gb 2G x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
21058vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
16 Gb 2G x 8 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Sample. |
26892vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
16 Gb 2G x 8 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
17877vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
16 Gb 2G x 8 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
20885vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
16 Gb 1G x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
23631vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
16 Gb 1G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample. |
15192vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
16 Gb 1G x 16 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
17263vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
16 Gb 1G x 16 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
26668vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
16 Gb 1G x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
15023vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
32 Gb 4G x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
20416vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
32 Gb 4G x 8 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Sample. |
16719vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
32 Gb 2G x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
21405vnt. sandėlyje |
Klasifikavimo puslapiai
success