| Vaizdas | PAGRINDINĖ dalis # Gamintojas | Aprašymas / PDF | Kiekis / RFQ |
|---|---|---|---|
 |
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA. |
25355vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample. |
22057vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production. |
20168vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
20623vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample. |
15426vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
14339vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
24465vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
25904vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
15824vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
26724vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Sample. |
19606vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 2G x 4 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
16925vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 2G x 4 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
24868vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 2G x 4 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
20149vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 2G x 4 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
25205vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 2G x 4 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
25285vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 2G x 4 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
23631vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 1G x 8 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
15126vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 1G x 8 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
16925vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
25191vnt. sandėlyje |
Klasifikavimo puslapiai
success