| Vaizdas | PAGRINDINĖ dalis # Gamintojas | Aprašymas / PDF | Kiekis / RFQ |
|---|---|---|---|
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4. |
958vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO. |
1381vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230. |
479vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
TRANS RF LDMOS 350W 50V. |
678vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS. |
181vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ. |
782vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO. |
795vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230. |
210vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
TRANS 1.8--600MHZ 150W CW 50V. |
2433vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 66V 880MHZ TO270-2. |
3487vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V. |
177vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
600MHZ 1.8KW OM1230G-4L. |
478vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-6. |
654vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR. |
683vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS. |
627vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S. |
653vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
RF MOSFET 2.6GHZ 100W NI780S-6. |
1103vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
RF TRANS 2.1GHZ 360W OM1230-4L2S. |
782vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS. |
178vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS. |
918vnt. sandėlyje |
Klasifikavimo puslapiai
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis8
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis9
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis10
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis11
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis12
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis13
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis14
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis15
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis16
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis17
success