Vaizdas | PAGRINDINĖ dalis # Gamintojas | Aprašymas / PDF | Kiekis / RFQ |
---|---|---|---|
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS. |
907vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
RF POWER LDMOS TRANSISTOR 700-13. |
687vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
2.1GHZ 450W NI1230S-4S4S. |
478vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-780-4. |
220vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 100V 1.03GHZ NI-780. |
347vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V. |
752vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO. |
218vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
GAN 2.2GHZ 250W NI400S4S. |
390vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V. |
758vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780. |
1262vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230. |
589vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230. |
550vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
RF MOSFET LDMOS 50V NI-650H-4L. |
741vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
RF MOSFET LDMOS 65V NI-1230H-4S. |
413vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST. |
597vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230. |
383vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
RF POWER LDMOS TRANSISTOR 750 W. |
325vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
RF MOSFET LDMOS 50V TO247. |
1945vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
HIGH POWER RF TRANSISTOR. |
495vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
250W AF17 2450MHZ NI780. |
610vnt. sandėlyje |