| Vaizdas | PAGRINDINĖ dalis # Gamintojas | Aprašymas / PDF | Kiekis / RFQ |
|---|---|---|---|
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270. |
7372vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI1230S-4. |
479vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.58GHZ. |
681vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI1230S-4. |
823vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 70V 940MHZ OM780-2. |
1111vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.93GHZ NI880XS2. |
905vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-2. |
913vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V. |
177vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S. |
400vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S. |
389vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS. |
181vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 133V 512MHZ TO270-2. |
4661vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS. |
1012vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS. |
913vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
TRANS 900-1215MHZ 1000W PEAK 50V. |
178vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 100V 1.4GHZ NI780S. |
303vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS. |
3143vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO. |
1100vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.3GHZ NI-1230-4LS2L. |
570vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS. |
827vnt. sandėlyje |
Klasifikavimo puslapiai
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis9
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis10
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis11
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis12
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis13
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis14
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis15
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis16
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis17
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis18
success