Taiwan Semiconductor Corporation - RS3M M6G

KEY Part #: K6458118

RS3M M6G Kainodara (USD) [883360vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.04187

Dalies numeris:
RS3M M6G
Gamintojas:
Taiwan Semiconductor Corporation
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 3A DO214AB.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Diodai - lygintuvai - viengubi, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas and Tranzistoriai - IGBT - moduliai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation RS3M M6G electronic components. RS3M M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS3M M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS3M M6G Produkto atributai

Dalies numeris : RS3M M6G
Gamintojas : Taiwan Semiconductor Corporation
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 3A DO214AB
Serija : -
Dalies būsena : Not For New Designs
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : -
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 3A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.3V @ 3A
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 500ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 10µA @ 1000V
Talpa @ Vr, F : -
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : DO-214AB, SMC
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-214AB (SMC)
Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 150°C

Galbūt jus taip pat domina
  • SE30AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 400V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 200V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFJ-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 600 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFGHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFDHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in