Vishay Semiconductor Diodes Division - GL41T-E3/96

KEY Part #: K6458205

GL41T-E3/96 Kainodara (USD) [959192vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.04069
  • 6,000 pcs$0.04049

Dalies numeris:
GL41T-E3/96
Gamintojas:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1300 Volt 30 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF and Tranzistoriai - JFET ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GL41T-E3/96 electronic components. GL41T-E3/96 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GL41T-E3/96, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GL41T-E3/96 Produkto atributai

Dalies numeris : GL41T-E3/96
Gamintojas : Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB
Serija : SUPERECTIFIER®
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 1300V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 1A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.2V @ 1A
Greitis : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : -
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 10µA @ 1300V
Talpa @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : DO-213AB, MELF (Glass)
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-213AB
Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 175°C

Galbūt jus taip pat domina
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE20AFJ-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 600 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFGHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFDHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFBHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFB-M3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION