[24465vnt. sandėlyje]
- Dalies numeris:
- K4A4G165WE-BIRC
- Gamintojas:
- Samsung Semiconductor
- Išsamus aprašymas:
- 4 Gb 256M x 16 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: DDR3, LPDDR3, DDR4, SLC Nand, LPDDR4X, LPDDR4, MODULE and HBM Flarebolt ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Samsung Semiconductor K4A4G165WE-BIRC electronic components. K4A4G165WE-BIRC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4A4G165WE-BIRC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
K4A4G165WE-BIRC Produkto atributai
Dalies numeris :
K4A4G165WE-BIRC
Gamintojas :
Samsung Semiconductor
apibūdinimas :
4 Gb 256M x 16 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
Serija :
DDR4
tankis :
4 Gb
Org. :
256M x 16
greitis :
2400 Mbps
Įtampa :
1.2 V
Temp. :
-40 ~ 95 °C
paketas :
96FBGA
Prekės statusas :
Mass Production
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
-
-
K4A4G085WE-BITD
Samsung Semiconductor
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
-
K4A4G085WF-BCTD
Samsung Semiconductor
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
-
-
K4A4G165WE-BCWE
Samsung Semiconductor
4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.